摘要gydF4y2Ba
我们研究了四方NaZnSb的拓扑相变gydF4y2Ba\ (_ {1 - x} \)gydF4y2BaBigydF4y2Ba\ (_x \)gydF4y2Ba,由化学成分驱动gydF4y2BaxgydF4y2Ba.值得注意的是,我们检查了没有对称指示器而改变的镜像陈数。第一性原理计算表明,NaZnSbgydF4y2Ba\ (_ {1 - x} \)gydF4y2BaBigydF4y2Ba\ (_x \)gydF4y2Ba经历连续的拓扑相变,由强者诊断gydF4y2Ba\ ({\ mathbb {Z}} _2 \)gydF4y2Ba拓扑指数gydF4y2Ba\ \(ν_ {0}\)gydF4y2Ba和两个镜像陈氏数gydF4y2Ba\(μ_ {x} \ \)gydF4y2Ba和gydF4y2Ba\(μ_ {xy} \ \)gydF4y2Ba.因为化学成分gydF4y2BaxgydF4y2Ba增加,拓扑不变量(gydF4y2Ba\(\mu _{x}\mu _{xy}\nu _{0}\)gydF4y2Ba)由(000)、(020)、(220)改为(111)gydF4y2BaxgydF4y2Ba= 0.15, 0.20, 0.53。开发了一个简化的低能量有效模型来检查镜像陈恩数的变化,突出了旁观者狄拉克费米子在避免对称指标方面的核心作用。我们的研究结果表明NaZnSbgydF4y2Ba\ (_ {1 - x} \)gydF4y2BaBigydF4y2Ba\ (_ {x} \)gydF4y2Ba可以是一个令人兴奋的试验台,以探索拓扑和对称之间的相互作用。gydF4y2Ba
简介gydF4y2Ba
自从发现了受时间反转对称保护的典型拓扑绝缘体gydF4y2Ba1gydF4y2Ba,gydF4y2Ba2gydF4y2Ba,发现了许多具有潜在应用的拓扑材料。根据目前的拓扑材料数据库gydF4y2Ba3.gydF4y2Ba,gydF4y2Ba4gydF4y2Ba,gydF4y2Ba5gydF4y2Ba在24825种测试材料中,4321种被鉴定为拓扑(结晶)绝缘体,10007种被鉴定为拓扑半金属。随着拓扑材料的出现,人们发现了多种拓扑相,并通过平移等多种对称性丰富了拓扑相gydF4y2Ba6gydF4y2Ba,gydF4y2Ba7gydF4y2Ba,gydF4y2Ba8gydF4y2Ba,gydF4y2Ba9gydF4y2Ba,反演gydF4y2Ba10gydF4y2Ba,gydF4y2Ba11gydF4y2Ba,gydF4y2Ba12gydF4y2Ba,gydF4y2Ba13gydF4y2Ba,gydF4y2Ba14gydF4y2Ba镜子,gydF4y2Ba15gydF4y2Ba、旋转gydF4y2Ba16gydF4y2Ba,gydF4y2Ba17gydF4y2Ba,gydF4y2Ba18gydF4y2Ba,gydF4y2Ba19gydF4y2Ba,或滑动镜gydF4y2Ba20.gydF4y2Ba,gydF4y2Ba21gydF4y2Ba,gydF4y2Ba22gydF4y2Ba,gydF4y2Ba23gydF4y2Ba,以及是否具有时间反转对称性gydF4y2Ba18gydF4y2Ba,gydF4y2Ba24gydF4y2Ba,gydF4y2Ba25gydF4y2Ba,gydF4y2Ba26gydF4y2Ba,gydF4y2Ba27gydF4y2Ba,gydF4y2Ba28gydF4y2Ba.拓扑相也根据它们的顺序进行分类gydF4y2Ba29gydF4y2Ba,gydF4y2Ba30.gydF4y2Ba,gydF4y2Ba31gydF4y2Ba,gydF4y2Ba32gydF4y2Ba,脆弱gydF4y2Ba33gydF4y2Ba,美味gydF4y2Ba34gydF4y2Ba,阻塞gydF4y2Ba35gydF4y2Ba,gydF4y2Ba36gydF4y2Ba,gydF4y2Ba37gydF4y2Ba,和非紧gydF4y2Ba38gydF4y2Ba原子绝缘体。适用于化工等各种设备,效果显著gydF4y2Ba39gydF4y2Ba,gydF4y2Ba40gydF4y2Ba、电子gydF4y2Ba27gydF4y2Ba,gydF4y2Ba41gydF4y2Ba,gydF4y2Ba42gydF4y2Ba,gydF4y2Ba43gydF4y2Ba,gydF4y2Ba44gydF4y2Ba,自旋电子gydF4y2Ba45gydF4y2Ba,gydF4y2Ba46gydF4y2Ba,gydF4y2Ba47gydF4y2Ba,gydF4y2Ba48gydF4y2Ba,gydF4y2Ba49gydF4y2Ba以及量子计算机设备gydF4y2Ba50gydF4y2Ba,gydF4y2Ba51gydF4y2Ba,gydF4y2Ba52gydF4y2Ba,gydF4y2Ba53gydF4y2Ba.gydF4y2Ba
拓扑能带理论的显著发展可能是成功发现拓扑材料和相的根本原因之一gydF4y2Ba54gydF4y2Ba,gydF4y2Ba55gydF4y2Ba.此外,拓扑量子化学,或等效的,对称为基础的指示方法gydF4y2Ba3.gydF4y2Ba,gydF4y2Ba56gydF4y2Ba,gydF4y2Ba57gydF4y2Ba,实现了高效、高通量的拓扑材料搜索。对称指示器显著地简化了识别给定材料的拓扑状态的问题。结合基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算,高对称动量的能带表示可以有效地表示非平凡能带拓扑。看似不同的拓扑相通过材料的对称性相互连接。因此,检查保护对称为确定共享保护对称的拓扑相提供了见解gydF4y2Ba56gydF4y2Ba,gydF4y2Ba58gydF4y2Ba,gydF4y2Ba59gydF4y2Ba.gydF4y2Ba
对称指标是一个稳健的方案,但其局限性是显而易见的。值得注意的是,它们对一组特定的拓扑相失效,称为脆弱拓扑相gydF4y2Ba33gydF4y2Ba,gydF4y2Ba60gydF4y2Ba,这一直是一个深入研究的课题gydF4y2Ba61gydF4y2Ba,gydF4y2Ba62gydF4y2Ba,gydF4y2Ba63gydF4y2Ba,gydF4y2Ba64gydF4y2Ba,gydF4y2Ba65gydF4y2Ba.此外,对称指示器本质上具有一对多的性质gydF4y2Ba66gydF4y2Ba.同一平凡指标存在多个稳定拓扑相。因此,应采用Berry相位和Wilson-loop计算来确定稳定的拓扑相位。这种一对多的性质允许有和没有对称指示器的拓扑相变之间的脱节区别。在本研究中,我们研究了一类在对称指示符中无法找到的拓扑相变。这些对称未捕获的拓扑相变可以发生,因为在对称表示方面缺乏对称性来识别拓扑相变gydF4y2Ba67gydF4y2Ba,gydF4y2Ba68gydF4y2Ba.然而,拓扑相变避免对称指示的详细过程仍未被探索。gydF4y2Ba
在这篇论文中,我们提出了一个在没有对称指示的情况下发生的稳定拓扑相变的案例研究。我们用第一性原理计算方法研究了NaZnSb的拓扑相变gydF4y2Ba\ (_ {1 - x} \)gydF4y2BaBigydF4y2Ba\ (_ {x} \)gydF4y2Ba存在由化学成分驱动的时间反转对称性gydF4y2BaxgydF4y2Ba,由两个镜像陈氏数诊断gydF4y2Ba\(μ_ {x} \ \)gydF4y2Ba和gydF4y2Ba\(μ_ {xy} \ \)gydF4y2Ba而强者gydF4y2Ba\ ({\ mathbb {Z}} _ {2} \)gydF4y2Ba拓扑指数gydF4y2Ba\ \(ν_ {0}\)gydF4y2Ba.gydF4y2Ba\((\mu _{x}\mu _{xy}\nu _{0})\)gydF4y2Ba从(000),(020),(220),到(111)的变化gydF4y2BaxgydF4y2Ba= 0.15, 0.20, 0.53。其中,从(000)到(020)和从(020)到(220)的拓扑相变发生在相同的(平凡的)对称指示器内,因此从对称指示器中未捕捉到。我们建立了一个简化的有效模型来证明具有相同对称表示的带之间的镜像陈数变化,禁止对称表示。我们发现对称性通过对狄拉克费米子和旁观者狄拉克费米子的位置提供约束而在相变中起作用gydF4y2Ba69gydF4y2Ba,gydF4y2Ba70gydF4y2Ba,gydF4y2Ba71gydF4y2Ba在动量空间中。gydF4y2Ba
晶体结构和对称性gydF4y2Ba
数字gydF4y2Ba1gydF4y2Baa为NaZn的晶体结构gydF4y2BaXgydF4y2Ba(gydF4y2Ba\ (X = \)gydF4y2BaBi, Sb)在空间组gydF4y2BaPgydF4y2Ba4 / nmm(# 129)。该体系由Na-组成gydF4y2BaXgydF4y2Ba交错方形亚晶格和Zn平面方形亚晶格,置于Na-X双分子层之间。的gydF4y2BaPgydF4y2Ba4/nmm空间组有三个发电机-两个螺杆旋转gydF4y2Baz \ (\ {C_{4} \绿色\ tfrac {1} {2} \ tfrac {1} {2} 0 \} \)gydF4y2Ba和gydF4y2Ba2 \ (\ {C_ {x} \绿色\ tfrac {1} {2} \ tfrac {1} {2} 0 \} \)gydF4y2Ba空间反演gydF4y2Ba\ (\ {{\ mathcal {P}} \绿色\ tfrac {1} {2} \ tfrac {1} {2} 0 \} \)gydF4y2Ba.gydF4y2Baz \ (C_ {4} \)gydF4y2Ba和gydF4y2Ba\ (C_ {2 x} \)gydF4y2Ba四倍旋转和两倍旋转gydF4y2Ba\ ({\ varvec {z}} \)gydF4y2Ba设在和gydF4y2Ba\ ({\ varvec {x}} \)gydF4y2Ba-轴(图;gydF4y2Ba1gydF4y2Ba一个),gydF4y2Ba\(\{\, g \, \vert \tfrac{1}{2}\tfrac{1}{2}0\}\)gydF4y2Ba(gydF4y2Ba\(g = C_{4z}, C_{2x}\)gydF4y2Ba,或gydF4y2Ba\ ({\ mathcal {P}} \)gydF4y2Ba)是一个对称算子gydF4y2BaggydF4y2Ba然后对原始单位向量的一半进行分式平移gydF4y2Ba\ ({\ varvec {x}} \)gydF4y2Ba- - -gydF4y2Ba\ ({\ varvec {y}} \)gydF4y2Ba的方向。值得注意的是,gydF4y2BaxgydF4y2Ba镜子gydF4y2Ba\ (M_ {x} \)gydF4y2Ba和gydF4y2BaxygydF4y2Ba滑翔gydF4y2Ba\ (G_ {xy} = \ {M_ {xy} \绿色\ tfrac {1} {2} \ tfrac {1} {2} 0 \} \)gydF4y2Ba,用于评价镜像陈数gydF4y2Ba\(μ_ {x} \ \)gydF4y2Ba和gydF4y2Ba\(μ_ {xy} \ \)gydF4y2Ba,分别。此外,该系统保持了时间反转对称性gydF4y2Ba\ ({\ mathcal {T}} \)gydF4y2Ba,启用gydF4y2Ba\ ({\ mathbb {Z}} _ {2} \)gydF4y2Ba拓扑绝缘体相。第一布里渊带及其对应的高对称性动量如图所示。gydF4y2Ba1gydF4y2Bab.此外,NaZnSb是一种现有材料gydF4y2Ba72gydF4y2Ba,gydF4y2Ba73gydF4y2Ba,gydF4y2Ba74gydF4y2Ba,gydF4y2Ba75gydF4y2Ba,而NaZnBi尚未合成。gydF4y2Ba
DFT乐队gydF4y2Ba
数字gydF4y2Ba2gydF4y2Ba为NaZnSb的第一性原理电子能带gydF4y2Ba\ (_ {1 - x} \)gydF4y2BaBigydF4y2Ba\ (_x \)gydF4y2Ba计算各种化学成分gydF4y2BaxgydF4y2Ba使用虚拟晶体近似gydF4y2Ba76gydF4y2Ba,gydF4y2Ba77gydF4y2Ba.仔细检查发现,在整个BZ中存在一个直接的带隙gydF4y2Ba在[0,1]\ (x \ \)gydF4y2Ba除了那些gydF4y2Ba\ (x = 0.15 \)gydF4y2Ba,gydF4y2Ba\ (x = 0.20 \)gydF4y2Ba,gydF4y2Ba\ (x = 0.53 \)gydF4y2Ba.在这些微调组合中,导带和价带之间的带隙消失,从而可以形成具有线性色散的四倍简并带交叉,这被称为狄拉克点。特别是在这种情况下gydF4y2Ba\ (x = 0.15 \)gydF4y2Ba和gydF4y2Ba\ (x = 0.20 \)gydF4y2Ba时,狄拉克点出现在gydF4y2Ba\γ- x (\ \)gydF4y2Ba和gydF4y2Ba\γ- m (\ \)gydF4y2Ba中分别包含的行gydF4y2Ba\ (M_ {x} \)gydF4y2Ba(gydF4y2Ba\ (G_ {xy} \)gydF4y2Ba)不变gydF4y2Ba\ (k_ {x} = 0 \)gydF4y2Ba(gydF4y2Ba\ (k_ {x} = -k_ {y} \)gydF4y2Ba)飞机。然而,对于gydF4y2Ba\ (x = 0.53 \)gydF4y2Ba时,狄拉克点出现在时反转不变量处gydF4y2Ba\γ(\ \)gydF4y2Ba点和中介之间的波段反转gydF4y2Ba\ \(γ_6 ^ + \)gydF4y2Ba和gydF4y2Ba\ \(γ_6 ^ - \)gydF4y2Ba状态,如图所示。gydF4y2Ba2gydF4y2Bac。gydF4y2Ba\ \(γ_6 ^ + \)gydF4y2Ba和gydF4y2Ba\ \(γ_6 ^ - \)gydF4y2Ba态主要由Zn组成gydF4y2Ba年代gydF4y2Ba和某人gydF4y2Ba\ (_ {1 - x} \)gydF4y2BaBigydF4y2Ba\ (_x \)gydF4y2Ba\ (p_x \)gydF4y2Ba和gydF4y2Ba\ (p_y \)gydF4y2Ba轨道,如图所示。gydF4y2Ba2gydF4y2Bad For anygydF4y2Ba\(x \in [0,1]\)gydF4y2Ba除了这些临界值外,导带和价带被直接带隙很好地分开,从而能够从占用带中评估拓扑绝缘相。gydF4y2Ba
拓扑阶段gydF4y2Ba
狄拉克点伴随拓扑相变。使用威尔逊循环计算gydF4y2Ba18gydF4y2Ba,gydF4y2Ba79gydF4y2Ba,gydF4y2Ba80gydF4y2Ba,我们列举了两个镜像陈氏数gydF4y2Ba\(μ_ {x} \ \)gydF4y2Ba和gydF4y2Ba\(μ_ {xy} \ \)gydF4y2Ba与gydF4y2Ba\ (M_x \)gydF4y2Ba镜子,gydF4y2Ba\ (G_ {xy} \)gydF4y2Ba-在相应的不变平面上滑翔gydF4y2Ba\(k_x = 0\)gydF4y2Ba和gydF4y2Ba\(k_x = -k_y\)gydF4y2Ba,分别。(详细的镜像陈数计算参见补充资料)。此外,立体感强gydF4y2Ba\ ({\ mathbb {Z}} _2 \)gydF4y2Ba拓扑不变量gydF4y2Ba\ \(ν_ {0}\)gydF4y2Ba是用占用频带在8个时反转不变动量下的宇称特征值计算的吗gydF4y2Ba12gydF4y2Ba.如图底部面板所示。gydF4y2Ba2gydF4y2BaC时,我们确定拓扑相的特征为(gydF4y2Ba\(\mu _{x},\mu _{xy},\nu _{0}\)gydF4y2Ba) = (0,0,0) forgydF4y2Ba\(0 \le x < 0.15\)gydF4y2Ba,(2,0,0)为gydF4y2Ba\(0.15< x < 0.20\)gydF4y2Ba,(2,2,0)为gydF4y2Ba\(0.20< x < 0.53\)gydF4y2Ba,和(1,1,1)gydF4y2Ba\(0.53 < x \le 1\)gydF4y2Ba.我们注意到计算gydF4y2Ba\ ({\ mathbb {Z}} _2 \)gydF4y2Ba指数gydF4y2Ba\ (x = 1 \)gydF4y2Ba与之前的结果是否一致gydF4y2Ba81gydF4y2Ba.相对应地,拓扑相变在gydF4y2Ba\ (x = 0.15 \)gydF4y2Ba,gydF4y2Ba\ (x = 0.20 \)gydF4y2Ba,gydF4y2Ba\ (x = 0.53 \)gydF4y2Ba发生的原因是镜陈数的变化gydF4y2Ba\(μ_ {x} \ \)gydF4y2Ba和gydF4y2Ba\(μ_ {xy} \ \)gydF4y2Ba而强者gydF4y2Ba\ ({\ mathbb {Z}} _ {2} \)gydF4y2Ba拓扑指数。gydF4y2Ba
为了完整起见,我们评估了NaZnSb中允许的其他可能的拓扑晶体相gydF4y2Ba\ (_ {1 - x} \)gydF4y2BaBigydF4y2Ba\ (_x \)gydF4y2Ba.首先,绝缘子的三维拓扑相弱,特点为三相弱gydF4y2Ba\ ({\ mathbb {Z}} _2 \)gydF4y2Ba指数gydF4y2Ba\((\nu _1\nu _2\nu _3)\)gydF4y2Ba,原来都是微不足道的gydF4y2Ba\((\nu _1\nu _2\nu _3)=(0,0,0)\)gydF4y2Ba适用于所有间隙相。此外,gydF4y2Ba\ ({\ mathbb {Z}} _ {4} \)gydF4y2Ba与gydF4y2Ba\ (\ mathcal P {} \ mathcal {T} \)gydF4y2Ba对称gydF4y2Ba82gydF4y2Ba,表示为gydF4y2Ba\ \(ν_ {4}\)gydF4y2Ba计算结果与gydF4y2Ba\ ({\ mathbb {Z}} _ {2} \)gydF4y2Ba指数gydF4y2Ba\ \(ν_ {0}\)gydF4y2Ba.因此,gydF4y2Ba\ \(ν_ {4}= 0 \)gydF4y2Ba为gydF4y2Ba\(x < 0.53\)gydF4y2Ba和gydF4y2Ba\ \(ν_ {4}= 1 \)gydF4y2Ba为gydF4y2Ba\ (0.53 x > \)gydF4y2Ba.最后,剩下的拓扑指标列在表中gydF4y2Ba1gydF4y2Ba.尽管结构多样,但整个拓扑晶体绝缘子相的形成是由弱指数和弱指数决定的gydF4y2Ba\ ({\ mathbb {Z}} _ {4} \)gydF4y2Ba指数gydF4y2Ba\((\nu _{1},\nu _{2}\nu _{3}\nu _{4})\)gydF4y2Ba连同两个镜陈数gydF4y2Ba\(μ_ {x} \ \)gydF4y2Ba和gydF4y2Ba\(μ_ {xy} \ \)gydF4y2Ba66gydF4y2Ba.镜陈数gydF4y2Ba\(μ_ {z} \ \)gydF4y2Ba与滑翔有关吗gydF4y2Ba\ (g_ {z} = \ {M_ {z} \绿色\ tfrac {1} {2} \ tfrac {1} {2} 0 \} \)gydF4y2Ba对称。的gydF4y2Ba\ (g_ {z} \)gydF4y2Ba不变的飞机gydF4y2Ba\ (k_ {z} = 0 \)gydF4y2Ba在临界组合处有四个狄拉克点gydF4y2Ba\ (x = 0.15 \)gydF4y2Ba和gydF4y2Ba\ (x = 0.20 \)gydF4y2Ba.镜陈数仍然微不足道,gydF4y2Ba\ \(μ_ {z} = 0 \)gydF4y2Ba为gydF4y2Ba\ (x < 0.53 \)gydF4y2Ba,这与所规定的对称约束一致gydF4y2Ba\ \(ν_ {4}= 0 \)gydF4y2Ba66gydF4y2Ba.gydF4y2Ba
拓扑表面状态gydF4y2Ba
在NaZnSb中发现的非平凡拓扑gydF4y2Ba\ (_ {1 - x} \)gydF4y2BaBigydF4y2Ba\ (_ {x} \)gydF4y2Ba为gydF4y2Ba\ (0.15 x > \)gydF4y2Ba通过拓扑表面态的显式计算得到了证明。制备了NaZnSb的平板几何结构gydF4y2Ba\ (_ {1 - x} \)gydF4y2BaBigydF4y2Ba\ (_ {x} \)gydF4y2Ba沿[001]方向包含15个单元单元,在(001)表面施加开放边界条件。数字gydF4y2Ba3.gydF4y2Ba显示(a)的计算表面状态gydF4y2BaxgydF4y2Ba= 0.31和(b)gydF4y2BaxgydF4y2Ba= 1.00,其中gydF4y2Ba\((\mu _{x}\mu _{xy}\nu _{0})=(2,2,0)\)gydF4y2Ba和(1,1,1)当gydF4y2BaxgydF4y2Ba= 0.31时,两个面狄拉克点发生的原因gydF4y2Ba\ \(μ_ {x} = 2 \)gydF4y2Ba和gydF4y2Ba\ \(μ_ {xy} = 2 \)gydF4y2Ba沿着高对称性gydF4y2Ba\γ- x (\ \)gydF4y2Ba和gydF4y2Ba\γ- m (\ \)gydF4y2Ba分别为BZ曲面上的直线,其中非平凡镜面被投影(图。gydF4y2Ba3.gydF4y2Baa).就……而言gydF4y2Ba\ (x = 1.00 \)gydF4y2Ba时,强拓扑绝缘体相(gydF4y2Ba\ \(ν_ {0}= 1 \)gydF4y2Ba),导致在表面上形成一个二维表面狄拉克点gydF4y2Ba\γ(\ \)gydF4y2Ba点(图。gydF4y2Ba3.gydF4y2Bab).计算得到的表面光谱与由体拓扑不变量诊断出的拓扑相符合良好。gydF4y2Ba
对称指标gydF4y2Ba
在确定了NaZnSb的拓扑相后gydF4y2Ba\ (_ {1 - x} \)gydF4y2BaBigydF4y2Ba\ (_x \)gydF4y2Ba,我们直接评估了对称指标,并表明在这个空间群中提出的对称指标不能捕捉到的拓扑相变gydF4y2Ba\ (x = 0.15 \)gydF4y2Ba和gydF4y2Ba\ (x = 20 \)gydF4y2Ba.根据参考文献。gydF4y2Ba66gydF4y2Ba, NaZnSbgydF4y2Ba\ (_ {1 - x} \)gydF4y2BaBigydF4y2Ba\ (_x \)gydF4y2Ba在空间组#129中包含一组gydF4y2Ba\(3{\mathbb {Z}}_2\乘{\mathbb {Z}}_4\)gydF4y2Ba对称指标gydF4y2Ba\((\nu _{1}\nu _{2}\nu _{3}\nu _{4})\)gydF4y2Ba.如前所述,前三个指数gydF4y2Ba\ \(ν_ {i = 1、2、3}\)gydF4y2Ba三维是弱的gydF4y2Ba\ ({\ mathbb {Z}} _2 \)gydF4y2Ba拓扑指数,由被占用频带的宇称特征值计算gydF4y2Ba12gydF4y2Ba最后一个指标gydF4y2Ba\ \(ν_4 \)gydF4y2Ba是gydF4y2Ba\({\mathcal {P}}{\mathcal {T}}\)gydF4y2Ba对称拓扑不变量,由gydF4y2Ba\ \(ν_4 \枚\总和_{\伽马_i \中\ mathrm修剪}\ tfrac {n ^ _{\伽马_i} - n ^ + _{\伽马_i}} {2} \)gydF4y2Ba(mod 4),其中gydF4y2Ba\ (n ^{+(-)}_{\ γ_i} \)gydF4y2Ba偶(奇)宇称价带的数量是否在时间反转不变动量下gydF4y2Ba\伽马_i (\ \)gydF4y2Ba82gydF4y2Ba.从对称性表示的第一性原理计算出发,得到对称性指标gydF4y2Ba\((\nu _{1}\nu _{2}\nu _{3}\nu _{4})=(0000)\)gydF4y2Ba为gydF4y2Ba\(x < 0.53\)gydF4y2Ba(0001)表示gydF4y2Ba\(x > 0.53\)gydF4y2Ba.由此,强势指数在变化gydF4y2Ba\(x = 0.53\)gydF4y2Ba是由对称指标捕获的,但那些在gydF4y2Ba\ (x = 0.15 \)gydF4y2Ba和gydF4y2Ba\ (x = 0.20 \)gydF4y2Ba是看不见的。对称性指示的缺失可归因于带的对称性表示。因为拓扑相位的变化是通过存在于高对称性动量之外的狄拉克点的形成,所以在狄拉克点之前和之后,带的对称性表示保持相同。因此,从对称表示的评价来看,对称指标的失败是不可避免的。gydF4y2Ba
我们解释对称指标的失败是由于所谓的对称允许性质的陈恩数。与对称保护的拓扑相不同,Chern数的特征是所谓的对称禁止相,其中对称在产生约束而不是保护方面发挥作用。如Song等人所示。gydF4y2Ba66gydF4y2Ba,在129号空间组中,一个给定的对称指示器有四个变种(见表gydF4y2Ba1gydF4y2Ba).这些变化产生于两个镜像陈数的两种可能性,即:gydF4y2Ba\(\μ_{我}= 0,2 \)gydF4y2Ba为gydF4y2Ba\ (i = x, xy \)gydF4y2Ba.哪些是在双重对称约束下的gydF4y2Ba我\ (C_ {2} \)gydF4y2Ba旋转gydF4y2Ba17gydF4y2Ba
在哪里gydF4y2Ba\ \(θ_n”(\伽马_a) = e ^{我(2 j_n ^{一}+ F) \π/ 2}\)gydF4y2Ba,gydF4y2Ba\ (J_n ^ {} \)gydF4y2Ba是特征值吗gydF4y2Ba我\ (C_ {2} \)gydF4y2Ba的旋转gydF4y2BangydF4y2Ba旋转不变动量(RIM)下的第一个占用频带gydF4y2Ba\(伽马_{一}\ \)gydF4y2Ba包含在镜像不变平面中,和gydF4y2Ba(f = 1 (0)\)gydF4y2Ba对于有spinful(无spinless)系统。因此,可以通过测定来改变陈氏数gydF4y2Ba\(\Delta {\mathcal {C}}\)gydF4y2Ba从gydF4y2Ba
或者说,gydF4y2Ba
当gydF4y2Ba\ (J_ {n} ^ {} \)gydF4y2Ba在Chern数变化前后保持不变。因此,gydF4y2Ba\(\mu _{i} = 0\)gydF4y2Ba和gydF4y2Ba\(\mu _{i} = 2\)gydF4y2Ba对称允许,使得不同的拓扑相处于相同的对称结构下。gydF4y2Ba
镜面专用四波段模型gydF4y2Ba
通过构造一个有效的哈密顿量,我们进一步解决了对称在镜像陈数变化中的作用。让我们从一般的开始gydF4y2Ba4 \ \(4 \倍)gydF4y2Ba哈密顿gydF4y2Ba
在哪里gydF4y2Ba\ \(τ_ {x, y, z} \)gydF4y2Ba和gydF4y2Ba\ \(σ_ {x, y, z} \)gydF4y2Ba分别是描述轨道和自旋的泡利矩阵。的gydF4y2Ba\ (D_ {2 h} \)gydF4y2Ba点群对称性是从导致镜像陈数变化的DFT带中提取出来的(有效模型的详细推导见补充信息)。这导致了对称表示:gydF4y2Ba\({\mathcal {T}} = i\sigma _z {\mathcal {K}}\)gydF4y2Ba,gydF4y2Ba\(M_{x,y,z} = i\sigma _{x,y,z}\)gydF4y2Ba,gydF4y2Ba\(\mathcal P = {\mathcal {I}}_{4\乘4}\)gydF4y2Ba.在这里,gydF4y2Ba\ ({\ mathcal {K}} \)gydF4y2Ba是复数共轭。在对称约束下gydF4y2Ba
在哪里gydF4y2Ba\ (U_g \)gydF4y2Ba和gydF4y2Ba\({\帽子{O}} _g \)gydF4y2Ba这是对称算子的表示吗gydF4y2BaggydF4y2Ba在矩阵空间和动量空间中,分别为镜像不变平面上的有效哈密顿量gydF4y2Ba\(k_z = 0\)gydF4y2Ba得到为gydF4y2Ba
在哪里gydF4y2Ba\(A(k_x,k_y) \equiv a_0+a_1 k_x²+a_2 k_y²\)gydF4y2Ba,gydF4y2Ba\(B(k_x,k_y) \equiv b_0+b_1 k_x²+b_2 k_y²\)gydF4y2Ba,gydF4y2Ba\(C(k_x,k_y) \等于c_2 k_x k_y\)gydF4y2Ba到二次阶gydF4y2Ba\({\varvec{k}} = (k_x,k_y)\)gydF4y2Ba.对应的能带由gydF4y2Ba
对于每个镜像扇区gydF4y2Ba\(\sigma _z = \pm 1\)gydF4y2Ba.的参数gydF4y2Bab_i \ \ (ai)gydF4y2Ba,gydF4y2Ba\ (c₂\)gydF4y2Ba(gydF4y2Ba我gydF4y2Ba= 0, 1,和2)可以微调到临界点,其中gydF4y2Ba\(a = b = c = 0\)gydF4y2Ba.这些条件导致带隙交叉gydF4y2Ba\(e_ {+} = e_ {-}\)gydF4y2Ba在gydF4y2Ba\({\varvec{k}} = (\pm \sqrt{-a_0/a_1},0)\)gydF4y2Ba或gydF4y2Ba\({\varvec{k}} = (0,\pm \sqrt{-a_0/a_2})\)gydF4y2Ba(我们注意到gydF4y2Ba\(c_2 = 0\)gydF4y2Ba也可以关闭禁带隙,但镜陈数不变,通过禁带隙更近。具体计算方法见补充资料。)gydF4y2Ba
表征被占用频带的陈数gydF4y2Ba\ (E_ ({\ varvec {k}}) \)gydF4y2Ba对于每个镜像扇区gydF4y2Ba\(M_z = \pm i\)gydF4y2Ba由gydF4y2Ba
从其中镜辰数gydF4y2Ba\μ_z (\ \)gydF4y2Ba15gydF4y2Ba,gydF4y2Ba16gydF4y2Ba可从gydF4y2Ba
非平凡(平凡)拓扑晶体相的索引gydF4y2Ba\ \(μ_ {z} = 2 \)gydF4y2Ba(=0)发生在gydF4y2Ba\ \(左(b_2, a_0 - a₂b_0 \) \离开(b_1, a_0 - a_1 b_0 \右)< 0 (> 0)\)gydF4y2Ba.这个方程直接表明了带隙交叉定义了之间的拓扑相变gydF4y2Ba\ \(μ_z = 2 \)gydF4y2Ba和gydF4y2Ba\ \(μ_z = 0 \)gydF4y2Ba.gydF4y2Ba
如图所示。gydF4y2Ba4gydF4y2Ba,有效模型的结果为对称性的作用提供了重要的见解。的gydF4y2BangydF4y2Ba-fold旋转对称生成gydF4y2BangydF4y2Ba对称相关的狄拉克费米子,其质量在相变过程中同时翻转。这导致了陈恩数的变化gydF4y2BangydF4y2Ba.我们相信的分数gydF4y2BangydF4y2Ba只有当对称在表示层被隐式破坏时才能改变,这可以从对称指示器中推导出来。注意狄拉克费米子的旁观者角色是很有趣的gydF4y2Ba69gydF4y2Ba,gydF4y2Ba69gydF4y2Ba,gydF4y2Ba70gydF4y2Ba,gydF4y2Ba71gydF4y2Ba,这是指在转变过程中没有质量反转的大质量狄拉克费米子。在恢复更高旋转对称性时,例如gydF4y2Baz \ (C_ {4} \)gydF4y2Ba,拓扑相变通过强制旁观者狄拉克费米子的参与变得微不足道。在我们的例子中gydF4y2Baz \ (C_ {4} \)gydF4y2Ba对称执行gydF4y2Ba\(a_1 = a_2\)gydF4y2Ba和gydF4y2Ba\(b_1 = b_2\)gydF4y2Ba,因此,所有大质量狄拉克费米子同时反转质量以抵消镜像陈数的变化。这符合由所给出的对称约束gydF4y2Baz \ (C_ {4} \)gydF4y2Ba到镜辰号。它只能修改4的倍数的整数,禁止修改2。我们认为这发生在NaZnSbgydF4y2Ba\ (_ {1 - x} \)gydF4y2BaBigydF4y2Ba\ (_ {x} \)gydF4y2Ba在gydF4y2Ba\ (x = 0.15 \)gydF4y2Ba和gydF4y2Ba\ (x = 0.20 \)gydF4y2Ba,其中四个狄拉克点出现在gydF4y2Ba\ (G_ {z} \)gydF4y2Ba不变的gydF4y2Ba\ (k_ {z} = 0 \)gydF4y2Ba平面不改变镜陈数gydF4y2Ba\ \(μ_ {z} = 0 \)gydF4y2Ba.gydF4y2Ba
结论gydF4y2Ba
我们对NaZnSb的拓扑相进行了第一性原理研究gydF4y2Ba\ (_ {1 - x} \)gydF4y2BaBigydF4y2Ba\ (_x \)gydF4y2Ba由化学成分驱动gydF4y2BaxgydF4y2Ba.建立了拓扑相图gydF4y2BaxgydF4y2Ba-空间使用对称指示器,两个镜像陈数,和gydF4y2Ba\ ({\ mathbb {Z}} _ {2} \)gydF4y2Ba拓扑指数强。相边界被确定为gydF4y2BaxgydF4y2Ba=0.17, 0.20, 0.53。我们重点分析了前两个拓扑相变,这两个相变改变了镜像Chern数,但没有对称指示。对称性的缺失被归因于陈恩数的内在性质。一般来说,陈氏数可以跳跃一个倍数gydF4y2BangydF4y2Ba而不被抓到gydF4y2Ba\ (C_ {n} \)gydF4y2Ba-对称,这可以通过托管来实现gydF4y2BangydF4y2Ba调节陈数变化的无质量狄拉克费米子。gydF4y2Ba
我们的研究结果在三个方面具有科学创新性。首先,该研究提供了对拓扑相变的见解,揭示了对称性和拓扑之间的密切相互作用。其次,我们强调了对称指示器的一对多性质,这表明通过对称输入在拓扑中被识别为平凡的材料可以是非平凡的。这可能为寻找拓扑材料提供了机会。最后,NaZnSbgydF4y2Ba\ (_ {1 - x} \)gydF4y2BaBigydF4y2Ba\ (_ {x} \)gydF4y2Ba在四方相中就是这样一个典型的例子,它为探索拓扑现象提供了丰富的场所。例如,我们认为费米表面拓扑作为掺杂浓度和化学势的函数将是NaZnSb中一个有趣的未来研究gydF4y2Ba\ (_ {1 - x} \)gydF4y2BaBigydF4y2Ba\ (_x \)gydF4y2Ba系统。gydF4y2Ba
方法gydF4y2Ba
我们执行了基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算gydF4y2Ba量子咖啡gydF4y2Ba包gydF4y2Ba83gydF4y2Ba.我们使用Perdew-Burke-Ernzerhof (PBE)型一般梯度逼近交换相关泛函gydF4y2Ba84gydF4y2Ba.的gydF4y2Ba鸦片gydF4y2Ba利用包构造Na、Zn、Bi和Zn原子的范数守恒、优化、设计的非局域和完全相对论赝势gydF4y2Ba85gydF4y2Ba,gydF4y2Ba86gydF4y2Ba.在力准则为10的范围内,原子结构完全松弛gydF4y2Ba\ (^ {7} \)gydF4y2Ba电动汽车/ A。波函数在平面波基础上扩展,能量截止值为680 eV。原子结构在力阈值为10的范围内完全松弛gydF4y2Ba\ (^ {5} \)gydF4y2Ba电动汽车/ A。8gydF4y2Ba\ \(\倍)gydF4y2Ba8gydF4y2Ba\ \(\倍)gydF4y2Ba8 .抽样gydF4y2Ba\ ({\ varvec {k}} \)gydF4y2Ba-点网格基于Monhorst-Pack方案gydF4y2Ba87gydF4y2Ba.我们已经测试过了gydF4y2Ba\ ({\ varvec {k}} \)gydF4y2Ba点网格密度足够大,可以实现电荷密度自一致和总能量收敛。从Sb到Bi的原子取代是化学成分的函数gydF4y2BaxgydF4y2Ba是否被虚晶体近似所模仿gydF4y2Ba76gydF4y2Ba,gydF4y2Ba77gydF4y2Ba.四方单元格的晶格参数计算为gydF4y2Ba一个gydF4y2Ba= 4.39 Å,gydF4y2BacgydF4y2Ba= 7.36 Å对于gydF4y2BaXgydF4y2Ba= Sb和gydF4y2Ba一个gydF4y2Ba= 4.54 Å,gydF4y2BacgydF4y2Ba= 7.55 Å为gydF4y2BaXgydF4y2Ba= Bi。单位单元包括两个公式单位,六个原子Na1, Na2, Zn1, Zn2,gydF4y2BaXgydF4y2Ba1,gydF4y2BaXgydF4y2Ba2位于(0.25 .gydF4y2Ba一个gydF4y2Ba, 0.25gydF4y2Ba一个gydF4y2Ba, 0.16gydF4y2BacgydF4y2Ba), (0.75gydF4y2Ba一个gydF4y2Ba, 0.75gydF4y2Ba一个gydF4y2Ba, 0.84gydF4y2BacgydF4y2Ba), (0.75gydF4y2Ba一个gydF4y2Ba, 0.25gydF4y2Ba一个gydF4y2Ba, 0.5gydF4y2BacgydF4y2Ba), (0.25gydF4y2Ba一个gydF4y2Ba, 0.75gydF4y2Ba一个gydF4y2Ba, 0.5gydF4y2BacgydF4y2Ba), (0.75gydF4y2Ba一个gydF4y2Ba, 0.75gydF4y2Ba一个gydF4y2Ba, 0.27gydF4y2BacgydF4y2Ba)、(0.25 .gydF4y2Ba一个gydF4y2Ba, 0.25gydF4y2Ba一个gydF4y2Ba, 0.73gydF4y2BacgydF4y2Ba),分别。镜陈数gydF4y2Ba15gydF4y2Ba,gydF4y2Ba16gydF4y2Ba使用镜像指定的威尔逊循环计算gydF4y2Ba18gydF4y2Ba,gydF4y2Ba78gydF4y2Ba,gydF4y2Ba79gydF4y2Ba,gydF4y2Ba80gydF4y2Ba.Wilson hamilton量由Soluyanov和Vanderbilt方法生成gydF4y2Ba88gydF4y2Ba,使用gydF4y2BaPw2wangydF4y2Ba实用程序在gydF4y2BaWannier90gydF4y2Ba代码gydF4y2Ba89gydF4y2Ba,gydF4y2Ba90gydF4y2Ba,gydF4y2Ba91gydF4y2Ba,gydF4y2Ba92gydF4y2Ba,gydF4y2Ba93gydF4y2Ba.gydF4y2Ba
数据可用性gydF4y2Ba
当前研究生成的数据集可根据合理要求从通讯作者处获得。gydF4y2Ba
参考文献gydF4y2Ba
哈桑,M. Z.和凯恩,C. L.学术讨论会:拓扑绝缘体。gydF4y2BaRev. Mod. Phys。gydF4y2Ba82gydF4y2Ba, 3045(2010)。gydF4y2Ba
气,X.-L。&张圣c。拓扑绝缘体和超导体。gydF4y2BaRev. Mod. Phys。gydF4y2Ba83gydF4y2Ba, 1057(2011)。gydF4y2Ba
Bradlyn B。gydF4y2Baet al。gydF4y2Ba拓扑量子化学。gydF4y2Ba自然gydF4y2Ba547gydF4y2Ba, 298 (2017)gydF4y2Ba
Vergniory, M。gydF4y2Baet al。gydF4y2Ba高质量拓扑材料的完整目录。gydF4y2Ba自然gydF4y2Ba566gydF4y2Ba, 480(2019)。gydF4y2Ba
Vergniory, M. G, Wieder, B. J., Elcoro, L., Parkin, S. S., Felser, C., Bernevig, B. A. & Regnault, N.所有化学计量材料的所有拓扑带。arXiv预印本gydF4y2BaarXiv: 2105.09954gydF4y2Ba(2021)。gydF4y2Ba
傅丽娟,陈志强,陈志强,陈志强。拓扑绝缘体的三维结构研究。gydF4y2Ba理论物理。启。gydF4y2Ba98gydF4y2Ba, 106803(2007)。gydF4y2Ba
李国强,李国强,李国强。时间逆不变带结构的拓扑不变量。gydF4y2Ba理论物理。启BgydF4y2Ba75gydF4y2Ba, 121306(2007)。gydF4y2Ba
程,M., Zaletel, M., Barkeshli, M., Vishwanath, A. & Bonderson, P.对称丰富拓扑相的平移对称和微观约束:从表面的观点。gydF4y2Ba理论物理。启XgydF4y2Ba6gydF4y2Ba, 041068(2016)。gydF4y2Ba
宋宏,黄世杰,黄世杰。,Fu, L. & Hermele, M. Topological phases protected by point group symmetry.理论物理。启XgydF4y2Ba7gydF4y2Ba, 011020(2017)。gydF4y2Ba
张勇。拓扑绝缘子的纠缠和反转对称性。gydF4y2Ba理论物理。启BgydF4y2Ba82gydF4y2Ba, 241102(2010)。gydF4y2Ba
李志刚,李志刚,李志刚,李志刚。逆对称拓扑绝缘体。gydF4y2Ba理论物理。启BgydF4y2Ba83gydF4y2Ba, 245132(2011)。gydF4y2Ba
傅丽娟,陈志强,陈志强。拓扑绝缘子的反演对称性研究。gydF4y2Ba理论物理。启BgydF4y2Ba76gydF4y2Ba, 045302(2007)。gydF4y2Ba
安俊杰,金德德,金勇,杨宝杰。节点线半金属与Z的能带拓扑和连接结构gydF4y2Ba2gydF4y2Ba磁单极子的指控。gydF4y2Ba理论物理。启。gydF4y2Ba121gydF4y2Ba, 106403(2018)。gydF4y2Ba
全善,金,杨。倒对称晶体中二维弱拓扑绝缘体。gydF4y2Ba理论物理。启BgydF4y2Ba105gydF4y2Ba, l121101(2022)。gydF4y2Ba
张志勇,傅丽丽,陈志强,陈志强。三维拓扑绝缘体的表面态和拓扑不变量:应用于gydF4y2Ba\({\text{bi}}_{{1 - x}} {\text{sb}}_{x}\)gydF4y2Ba.gydF4y2Ba理论物理。启BgydF4y2Ba78gydF4y2Ba, 045426(2008)。gydF4y2Ba
傅。拓扑晶体绝缘体。gydF4y2Ba理论物理。启。gydF4y2Ba106gydF4y2Ba, 106802(2011)。gydF4y2Ba
方春华,戴晓霞,李建平,陈建平。基于点群对称的多weyl拓扑半金属稳定性研究。gydF4y2Ba理论物理。启。gydF4y2Ba108gydF4y2Ba, 266802(2012)。gydF4y2Ba
李国强,方志强,李志强,李志强。无自旋轨道拓扑绝缘体的时间反转对称性。gydF4y2Ba理论物理。启。gydF4y2Ba113gydF4y2Ba, 116403(2014)。gydF4y2Ba
方春,傅丽丽。具有表面旋转异常的新型拓扑晶体绝缘子。gydF4y2Ba科学。睡觉。gydF4y2Ba5gydF4y2Ba, eaat2374(2019)。gydF4y2Ba
杨,S. M. &凯恩,C. L.狄拉克半金属在二维。gydF4y2Ba理论物理。启。gydF4y2Ba115gydF4y2Ba, 126803(2015)。gydF4y2Ba
方春,傅丽丽。新型三维拓扑晶体绝缘子:非对称和磁性。gydF4y2Ba理论物理。启BgydF4y2Ba91gydF4y2Ba, 161105(2015)。gydF4y2Ba
王志强,王志强,王志强,王志强。沙漏费米子。gydF4y2Ba自然gydF4y2Ba532gydF4y2Ba, 189(2016)。gydF4y2Ba
魏德,b.j.。gydF4y2Baet al。gydF4y2Ba墙纸费米子和非对称狄拉克绝缘子。gydF4y2Ba科学gydF4y2Ba361gydF4y2Ba246(2018)。gydF4y2Ba
李荣,王俊,齐晓林,王晓林。&张圣c。拓扑磁绝缘体中的动态轴子场。gydF4y2BaNat。物理。gydF4y2Ba6gydF4y2Ba, 284(2010)。gydF4y2Ba
Burkov, a.a., Hook, m.d. & Balents, L.拓扑节点半金属。gydF4y2Ba理论物理。启BgydF4y2Ba84gydF4y2Ba, 235126(2011)。gydF4y2Ba
邦德森,P.,纳亚克,C.,齐X.-L。三维拓扑绝缘体表面的时反转不变拓扑相位。gydF4y2BaJ. Stat. Mech。理论经验。gydF4y2Ba2013gydF4y2Ba, p09016(2013)。gydF4y2Ba
德仓,杨,安田,K. & Tsukazaki, A.磁性拓扑绝缘体。gydF4y2BaNat. Rev. Phys。gydF4y2Ba1gydF4y2Ba, 126(2019)。gydF4y2Ba
Elcoro, L。gydF4y2Baet al。gydF4y2Ba磁拓扑量子化学。gydF4y2BaCommun Nat。gydF4y2Ba12gydF4y2Ba, 1(2021)。gydF4y2Ba
贝纳卡扎,W. A., Bernevig, B. A. & Hughes, T. L.量子化电多极绝缘子。gydF4y2Ba科学gydF4y2Ba357gydF4y2Ba, 61(2017)。gydF4y2Ba
辛德勒,F。gydF4y2Baet al。gydF4y2Ba高阶拓扑绝缘体。gydF4y2Ba科学的进步gydF4y2Ba4gydF4y2Ba, eaat0346(2018)。gydF4y2Ba
高阶拓扑绝缘体和超导体的反演对称保护。gydF4y2Ba理论物理。启BgydF4y2Ba97gydF4y2Ba, 205136(2018)。gydF4y2Ba
cutlugnikolu, D., juriovic, V. & Roy, B.高阶拓扑相:构造的一般原则。gydF4y2Ba理论物理。启BgydF4y2Ba99gydF4y2Ba, 041301(2019)。gydF4y2Ba
Po, H. C. Watanabe, H. & Vishwanath, A.脆弱拓扑和Wannier障碍。gydF4y2Ba理论物理。启。gydF4y2Ba121gydF4y2Ba, 126402(2018)。gydF4y2Ba
纳尔逊,纽珀特,T., bzduiek, T. C. V. & Alexandradinata, A.精细拓扑绝缘体的多细胞性。gydF4y2Ba理论物理。启。gydF4y2Ba126gydF4y2Ba, 216404(2021)。gydF4y2Ba
卡诺,J。gydF4y2Baet al。gydF4y2Ba拓扑量子化学的构建模块:基本带表示。gydF4y2Ba理论物理。启BgydF4y2Ba97gydF4y2Ba, 035139(2018)。gydF4y2Ba
徐勇,埃尔科罗,L.,宋志德。,Vergniory, M。G., Felser, C., Parkin, S. S. P., Regnault, N., Mañes, J. L. & Bernevig, B. A. Filling-enforced obstructed atomic insulators.arXiv: 2106.10276gydF4y2Ba(2021)。gydF4y2Ba
卡诺,J., Elcoro, L., Aroyo, M. I., Bernevig, B. A. & Bradlyn, B.阻塞原子绝缘体特征值不可见的拓扑。gydF4y2Ba理论物理。启BgydF4y2Ba105gydF4y2Ba, 125115(2022)。gydF4y2Ba
辛德勒,F. & Bernevig, B. A.非致密原子绝缘体。gydF4y2Ba理论物理。启BgydF4y2Ba104gydF4y2Ba, l201114(2021)。gydF4y2Ba
萨蒂格里,r.m, Jha, P. K., Śpiewak, P. & kurzydowski, K. J.二维limgas;一种新型拓扑量子析氢催化剂。arXiv预印本gydF4y2BaarXiv: 2204.08926gydF4y2Ba(2022)gydF4y2Ba
金,D.,刘。拓扑合金工程和局部线性化的间隙依赖浓度。gydF4y2Ba理论物理。启BgydF4y2Ba106gydF4y2Ba, 085105(2022)。gydF4y2Ba
Sacepe B。gydF4y2Baet al。gydF4y2Ba拓扑绝缘体表面的门调谐正常和超导输运。gydF4y2BaCommun Nat。gydF4y2Ba2gydF4y2Ba, 1(2011)。gydF4y2Ba
斯坦伯格,Laloë, j.b。,Fatemi, V., Moodera, J. S. & Jarillo-Herrero, P. Electrically tunable surface-to-bulk coherent coupling in topological insulator thin films.理论物理。启BgydF4y2Ba84gydF4y2Ba, 233101(2011)。gydF4y2Ba
香港,D。gydF4y2Baet al。gydF4y2Ba三元拓扑绝缘体(bixss1 -x) 2te3的双极场效应。gydF4y2BaNanotechnol Nat。gydF4y2Ba6gydF4y2Ba, 705(2011)。gydF4y2Ba
Dhori, B. R., Sattigeri, R. M., Jha, P. K., Kurzydlowski, D. & Chakraborty, B.半heusler AgSrBi中压力诱导拓扑相变的第原理研究。gydF4y2Ba板牙。睡觉。gydF4y2Ba3.gydF4y2Ba, 3938(2022)。gydF4y2Ba
谢长廷,D。gydF4y2Baet al。gydF4y2Ba量子自旋霍尔相中的拓扑狄拉克绝缘体。gydF4y2Ba自然gydF4y2Ba452gydF4y2Ba, 970(2008)。gydF4y2Ba
张,H。gydF4y2Baet al。gydF4y2Babi2se3, bi2te3和sb2te3中的拓扑绝缘体,表面上有一个狄拉克锥。gydF4y2BaNat。物理。gydF4y2Ba5gydF4y2Ba, 438(2009)。gydF4y2Ba
陈玉良,gydF4y2Baet al。gydF4y2Ba一种三维拓扑绝缘体Bi的实验实现gydF4y2Ba2gydF4y2BaTegydF4y2Ba3.gydF4y2Ba.gydF4y2Ba科学gydF4y2Ba325gydF4y2Ba, 178(2009)。gydF4y2Ba
盖瑞特,李志强,李志强。拓扑绝缘体与铁磁体界面的逆自旋电效应。gydF4y2Ba理论物理。启。gydF4y2Ba104gydF4y2Ba, 146802(2010)。gydF4y2Ba
何敏,孙浩,何庆林。拓扑绝缘体:自旋电子学与量子计算。gydF4y2Ba前面。理论物理。gydF4y2Ba14gydF4y2Ba, 1(2019)。gydF4y2Ba
傅利民,拉尔森,王振文,一种量子计算通用的模函子。gydF4y2BaCommun。数学。理论物理。gydF4y2Ba227gydF4y2Ba, 605(2002)。gydF4y2Ba
Das Sarma, S., Nayak, C. & Tewari, S.在钌酸锶薄膜中稳定和检测半量子涡旋的建议:a涡旋的非阿贝编织统计gydF4y2Ba\ ({p} _ {x} + i p {} _ {y} \)gydF4y2Ba超导体。gydF4y2Ba理论物理。启BgydF4y2Ba73gydF4y2Ba, 220502(2006)。gydF4y2Ba
纳亚克,C.,西蒙,S. H.,斯特恩,A., Freedman, M. & Das Sarma, S.非abel任意子与拓扑量子计算。gydF4y2BaRev. Mod. Phys。gydF4y2Ba80gydF4y2Ba, 1083(2008)。gydF4y2Ba
叶俊杰,叶俊杰,严志刚,张志刚,张志刚,张志刚。拓扑绝缘体中狄拉克-费米子介导的铁磁性。gydF4y2BaNat。物理。gydF4y2Ba8gydF4y2Ba, 729(2012)。gydF4y2Ba
凯恩,C. L.拓扑带理论和ZgydF4y2Ba\ (_2 \)gydF4y2Ba不变的。在gydF4y2Ba凝聚态科学的当代概念gydF4y2BaVol. 6 3-34 (Elsevier, 2013)。gydF4y2Ba
班希尔,林,H. &达斯,T.学术讨论会:拓扑带理论。gydF4y2BaRev. Mod. Phys。gydF4y2Ba88gydF4y2Ba, 021004(2016)。gydF4y2Ba
克鲁托夫,J.,德波尔,J.,范韦泽尔,J.,凯恩,C. L. &斯拉格,R.-J.。基于带状结构组合的晶体绝缘子拓扑分类。gydF4y2Ba理论物理。启XgydF4y2Ba7gydF4y2Ba, 041069(2017)。gydF4y2Ba
Po, H. C., Vishwanath, A. & Watanabe, H.完整的基于对称的带拓扑指标理论。gydF4y2BaCommun Nat。gydF4y2Ba8gydF4y2Ba, 50(2017)。gydF4y2Ba
Zak, J.空间群的波段表示。gydF4y2Ba理论物理。启BgydF4y2Ba26gydF4y2Ba, 3010(1982)。gydF4y2Ba
李志刚,李志刚,李志刚。拓扑晶体绝缘子的对称性破缺和朗道量子化。gydF4y2Ba理论物理。启BgydF4y2Ba90gydF4y2Ba, 035402(2014)。gydF4y2Ba
布汉,A.,布莱克-谢弗,A. M. &斯拉格,R.-J。具有时间反转对称的分裂基本带表示和拓扑晶体绝缘子脆弱拓扑的Wilson环方法。gydF4y2Ba理论物理。启BgydF4y2BaOne hundred.gydF4y2Ba, 195135(2019)。gydF4y2Ba
Kooi, s.h., van Miert, G. & Ortix, C.没有对称指示器的晶体绝缘体分类:双重旋转对称系统中的原子和脆弱拓扑相。gydF4y2Ba理论物理。启BgydF4y2BaOne hundred.gydF4y2Ba, 115160(2019)。gydF4y2Ba
黄勇,安俊杰,杨宝俊。反演对称保护的脆弱拓扑:诊断、体边界对应和威尔逊环。gydF4y2Ba理论物理。启BgydF4y2BaOne hundred.gydF4y2Ba, 205126(2019)。gydF4y2Ba
歌,Z.-D。,Elcoro, L。,Xu, Y.-F., Regnault, N. & Bernevig, B. A. Fragile phases as affine monoids: Classification and material examples.理论物理。启XgydF4y2Ba10gydF4y2Ba, 031001(2020)。gydF4y2Ba
歌,Z.-D。,Elcoro, L。&Bernevig, B. A. Twisted bulk-boundary correspondence of fragile topology.科学gydF4y2Ba367gydF4y2Ba, 794(2020)。gydF4y2Ba
仙女,V。gydF4y2Baet al。gydF4y2Ba声学超材料中脆弱拓扑结构的实验表征。gydF4y2Ba科学gydF4y2Ba367gydF4y2Ba, 797(2020)。gydF4y2Ba
宋铮,张涛,方正哲,方昌。固体对称与拓扑的定量映射。gydF4y2BaCommun Nat。gydF4y2Ba9gydF4y2Ba, 3530(2018)。gydF4y2Ba
周,X。gydF4y2Baet al。gydF4y2Ba拓扑晶体绝缘子态在CagydF4y2Ba2gydF4y2Ba作为家庭。gydF4y2Ba理论物理。启BgydF4y2Ba98gydF4y2Ba, 241104(2018)。gydF4y2Ba
许,学术界。gydF4y2Baet al。gydF4y2Ba纯旋转对称保护拓扑晶体绝缘体-铋gydF4y2Ba4gydF4y2BaBrgydF4y2Ba4gydF4y2Ba.gydF4y2Ba2 d板牙。gydF4y2Ba6gydF4y2Ba, 031004(2019)。gydF4y2Ba
没有朗道能级的量子霍尔效应模型:“宇称异常”的凝聚态实现。gydF4y2Ba理论物理。启。gydF4y2Ba61gydF4y2Ba, 2015(1988)。gydF4y2Ba
初杉井勇,Kohmoto M. & Wu Y - s。积分量子霍尔跃迁有效场论中隐藏的大质量狄拉克费米子。gydF4y2Ba理论物理。启BgydF4y2Ba54gydF4y2Ba, 4898(1996)。gydF4y2Ba
Watanabe, H., Hatsugai, Y. & Aoki, H.单狄拉克锥对量子霍尔电导率的半整数贡献。gydF4y2Ba理论物理。启BgydF4y2Ba82gydF4y2Ba, 241403(2010)。gydF4y2Ba
耆那教徒,一个。gydF4y2Baet al。gydF4y2Ba材料项目:加速材料创新的材料基因组方法。gydF4y2BaAPL板牙。gydF4y2Ba1gydF4y2Ba, 011002(2013)。gydF4y2Ba
Jaiganesh, G., Britto, t.m., Eithiraj, R. D. & Kalpana, G. NaZnx (x= p, as, sb)的电子和结构性质:从头算研究。gydF4y2Ba期刊。康德。事gydF4y2Ba20.gydF4y2Ba, 085220(2008)。gydF4y2Ba
Savelsberg, G. & Schaefer, H. Ternaere pnictide and chalgenide von碱性金属和b -bzw。IIB-elementen。gydF4y2Baz Naturforsch。BgydF4y2Ba33gydF4y2Ba, 370(1978)。gydF4y2Ba
卡尔特,H. &舒斯特,H.- u。钠或钾与2b和5b族元素的三元相。gydF4y2Baz Naturforsch。BgydF4y2Ba31gydF4y2Ba, 1538(1976)。gydF4y2Ba
金属电子理论。我。gydF4y2Ba安。理论物理。gydF4y2Ba401gydF4y2Ba, 607(1931)。gydF4y2Ba
Bellaiche, L. & Vanderbilt, D.虚拟晶体近似重现:应用于钙钛矿的介电和压电性能。gydF4y2Ba理论物理。启BgydF4y2Ba61gydF4y2Ba, 7877(2000)。gydF4y2Ba
戴晓明,戴晓明,杨晓明,杨晓明。逆对称拓扑绝缘体的研究进展。gydF4y2Ba理论物理。启BgydF4y2Ba89gydF4y2Ba, 155114(2014)。gydF4y2Ba
李志刚,李志刚,李志刚。拓扑晶体绝缘体的浆果相描述。gydF4y2Ba理论物理。启BgydF4y2Ba93gydF4y2Ba, 205104(2016)。gydF4y2Ba
王志刚,王志刚,王志刚。基于群上同的拓扑绝缘体。gydF4y2Ba理论物理。启XgydF4y2Ba6gydF4y2Ba, 021008(2016)。gydF4y2Ba
李,H.,姜,y - g。,荣格,m . c。,Han, M. J. & Chang, K. J. Robust dual topological insulator phase in NaZnBi.NPG Asia Mater。gydF4y2Ba14gydF4y2Ba, 1(2022)。gydF4y2Ba
胡晓明,李志刚,李志刚,李志刚。拓扑晶体绝缘子的对称指示和异常表面状态。gydF4y2Ba理论物理。启XgydF4y2Ba8gydF4y2Ba, 031070(2018)。gydF4y2Ba
Giannozzi, P。gydF4y2Baet al。gydF4y2Ba量子浓缩咖啡:一个用于材料量子模拟的模块化和开源软件项目。gydF4y2Ba期刊。提供者。事gydF4y2Ba21gydF4y2Ba, 395502(2009)。gydF4y2Ba
裴杜,柏克,K. &恩泽霍夫,M.广义梯度近似简化。gydF4y2Ba理论物理。启。gydF4y2Ba77gydF4y2Ba, 3865(1996)。gydF4y2Ba
拉佩,A. M.,拉贝,K. M., Kaxiras, E. & Joannopoulos, J. D.优化赝势。gydF4y2Ba理论物理。启BgydF4y2Ba41gydF4y2Ba, 1227(1990)。gydF4y2Ba
Ramer, N. J. & Rappe, A. M.设计了增强可移植性的非局部伪势。gydF4y2Ba理论物理。启BgydF4y2Ba59gydF4y2Ba, 12471(1999)。gydF4y2Ba
蒙霍斯特,H. J. & Pack, J. D.布里渊区积分的特别点。gydF4y2Ba理论物理。启BgydF4y2Ba13gydF4y2Ba, 5188(1976)。gydF4y2Ba
索扬诺夫,A. A.和范德比尔特,D.万尼尔表示的zgydF4y2Ba2gydF4y2Ba拓扑绝缘体。gydF4y2Ba理论物理。启BgydF4y2Ba83gydF4y2Ba, 035108(2011)。gydF4y2Ba
Marzari, N. & Vanderbilt, D.复合能带的极大定域广义Wannier函数。gydF4y2Ba理论物理。启BgydF4y2Ba56gydF4y2Ba, 12847(1997)。gydF4y2Ba
Souza, I., Marzari, N. & Vanderbilt, D.纠缠能带的极大定域Wannier函数。gydF4y2Ba理论物理。启BgydF4y2Ba65gydF4y2Ba, 035109(2001)。gydF4y2Ba
莫斯托菲,A。gydF4y2Baet al。gydF4y2Bawannier90:获取最大本地化的Wannier函数的工具。gydF4y2Ba第一版。理论物理。Commun。gydF4y2Ba178gydF4y2Ba, 685(2008)。gydF4y2Ba
Taherinejad M., Garrity, K. F. & Vanderbilt, D. Wannier中心表在拓扑绝缘体。gydF4y2Ba理论物理。启BgydF4y2Ba89gydF4y2Ba, 115102(2014)。gydF4y2Ba
Marzari, N., Mostofi, A. A., Yates, J. R., Souza, I. & Vanderbilt, D.最大化局部化Wannier函数:理论与应用。gydF4y2BaRev. Mod. Phys。gydF4y2Ba84gydF4y2Ba, 1419(2012)。gydF4y2Ba
确认gydF4y2Ba
这项工作得到了韩国国家研究基金会(NRF)基础研究实验室(NRF- 2020r1a4a307970713)和NRF资助号(NRF- 2021r1a2c101387112和NRF- 2021m3h3a1038085)的支持。计算资源由韩国科学技术信息研究所(KISTI)提供(KSC-2020-CRE-0108)。gydF4y2Ba
作者信息gydF4y2Ba
作者及隶属关系gydF4y2Ba
贡献gydF4y2Ba
Y.K.提出了这个想法,并组织了这项研究。J.J.和Y.K进行了第一性原理计算和k.p模型计算。D.K.和Y.K.诊断了拓扑相,并提出了低能有效哈密顿量。J.J.和Y.K.写了手稿。所有作者都讨论了结果。gydF4y2Ba
相应的作者gydF4y2Ba
道德声明gydF4y2Ba
相互竞争的利益gydF4y2Ba
作者声明没有利益竞争。gydF4y2Ba
额外的信息gydF4y2Ba
出版商的注意gydF4y2Ba
施普林格自然对出版的地图和机构从属关系中的管辖权主张保持中立。gydF4y2Ba
补充信息gydF4y2Ba
权利和权限gydF4y2Ba
开放获取gydF4y2Ba本文遵循知识共享署名4.0国际许可协议,允许以任何媒介或格式使用、分享、改编、分发和复制,只要您对原作者和来源给予适当的署名,提供知识共享许可协议的链接,并注明是否有更改。本文中的图像或其他第三方材料包含在文章的创作共用许可协议中,除非在材料的信用额度中另有说明。如果材料未包含在文章的创作共用许可协议中,并且您的预期使用不被法定法规所允许或超出了允许的使用范围,您将需要直接获得版权所有者的许可。如欲查看本牌照的副本,请浏览gydF4y2Bahttp://creativecommons.org/licenses/by/4.0/gydF4y2Ba.gydF4y2Ba
关于本文gydF4y2Ba
引用本文gydF4y2Ba
郑俊杰,金,D.和金,Y. NaZnSb的拓扑相变没有对称指示gydF4y2Ba\ (_ {1 - x} \)gydF4y2BaBigydF4y2Ba\ (_x \)gydF4y2Ba.gydF4y2BaSci代表gydF4y2Ba12gydF4y2Ba, 22050(2022)。https://doi.org/10.1038/s41598-022-26596-ygydF4y2Ba
收到了gydF4y2Ba:gydF4y2Ba
接受gydF4y2Ba:gydF4y2Ba
发表gydF4y2Ba:gydF4y2Ba
DOIgydF4y2Ba:gydF4y2Bahttps://doi.org/10.1038/s41598-022-26596-ygydF4y2Ba
评论gydF4y2Ba
通过提交评论,您同意遵守我们的gydF4y2Ba条款gydF4y2Ba和gydF4y2Ba社区指导原则gydF4y2Ba.如果您发现一些滥用或不符合我们的条款或指导方针,请标记为不适当。gydF4y2Ba