文摘
二维材料通过溶液处理可以用来创建下一代大规模电子设备。然而,现有的解决方案处理方法通常有可伸缩性与材质之间的权衡,这使得它们不适合实际应用。在这里,我们表明,圆片规模molybdenum-disulfide-based晶体管阵列可以使用商业slot-die印刷制作过程。我们创建的油墨二硫化钼nanosheets sodium-embedded氧化铝的印刷半导体和栅介电层,分别。晶体管展览80.0厘米的平均电荷载体的机动性2V−1年代−1场效应晶体管的测量和132.9厘米2V−1年代−1在大厅在室温下测量。高电荷载流子迁移率是由于sodium-embedded氧化铝闸极介电层,导致一个band-like molybdenum-disulfide-nanosheet-based薄膜中电荷载体运输网络。我们使用晶体管创建各种逻辑门,包括没有,而且,NAND和静态随机存取存储器。
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确认
这项工作是支持的基础科学项目(NRF - 2020 r1a2c2007819)韩国国家研究基金会(NRF)由科技部和ICT,韩国(J.H.C);创意材料发现程序通过NRF科技部资助的ICT (NRF - 2019 m3d1a1078299) (J.H.C.);2021年延世签名研究集群项目(J.H.C.);由韩国政府NRF拨款(MSIT) (rs - 2023 - 00208538) (j .康);和韩国基本科学研究所(KBSI)国家研究设施和设备中心由韩国政府(NFEC)拨款(教育部)(2019 r1a6c1010031) (j .康)。这项研究部分由BrainLink计划由科技部和ICT NRF韩国(rs - 2023 - 00237308) (J.H.C.和j·康)。
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作者和联系
贡献
J.H.C.和j·康发起和监督所有的研究。Y.A.K.和金正日进行了她大部分的实验设计和数据分析工作。M.S.K.,D.G.R., D.R. and D.W.K. assisted in the materials processing. S.B.J., Y.S., B.K., D.K. and Jeongmin Kim assisted in the electrical measurements and analysis. All authors discussed the results and contributed to the writing of the manuscript.
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Kwon Y.A.金,J。,Jo, S.B.et al。圆片规模晶体管阵列组合使用slot-die打印二硫化钼和sodium-embedded氧化铝。Nat电子6,443 - 450 (2023)。https://doi.org/10.1038/s41928 - 023 - 00971 - 7
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DOI:https://doi.org/10.1038/s41928 - 023 - 00971 - 7
