集合
宽禁带半导体
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半导体可分为根据其能量隙,价带和导带之间的能隙。半导体的能带隙1.5 eV的顺序被认为是宽禁带半导体(e。g碳化硅、氮化镓、砷化镓等)。这些类型的半导体的优点能够运行在更高的电压、频率和温度对窄隙半导体;他们也有有益的属性被radiation-hard。所有这些原因,宽禁带半导体是必不可少的在各种各样的应用程序,特别是那些涉及使用的光波长紫外线及以上,包括空间、医疗、和水下应用程序。
这个集合邀请原来的宽禁带半导体的研究话题,从他们的增长和描述中使用的电子设备(如光源、探测器)及时应用。
编辑器
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Julita Smalc-Koziorowska
波兰科学院,波兰
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安德烈Vorobiev
瑞典查尔姆斯理工大学的
文章将显示在这里一旦出版。